纳维科技将在苏州建设氮化镓单晶衬底研发基地

2021-02-01 15:17:23 来源: 浏览次数:0

 1月24日上午,苏州工业园区科技领军人才企业苏州纳维科技有限公司举行总部大楼奠基仪式。
项目占地面积超1.4万平方米,总建筑面积超3.4万平方米,建成后,年产氮化镓单晶衬底及外延片可达5万片。第三代半导体产业,是我国具有“创新主动权”的新兴产业,是推动5G、新能源等战略性产业发展的关键基础。纳维科技自成立以来,致力于第三代半导体产业核心关键材料氮化镓单晶衬底的产业化开发。
苏州纳维科技有限公司2007年由中科院苏州纳米所徐科研究员创立,致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化。率先实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键核心技术,成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业。
园区形成以“设计-晶圆制造-封装测试”为核心,以设备、原材料及服务产业为支撑的集成电路产业链,在MEMS、化合物半导体、光通信等细分领域拥有较好的产业基础,并持续加大第三代半导体相关产业链和创新链布局。
截至目前,园区集聚全国80%的氮化镓领域“国家级重点人才”,中科院纳米所、材料科学姑苏实验室等重大创新载体的加快建设,为建设世界一流高科技园区持续提供强大动能。

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